PP9583 Insulated gate bipolar transistor IGBT Fuji 2DI30Z-120 30A HMS die ideal für industrielle Anwendungen

die ideal für industrielle Anwendungen geeignet ist

Benefit from the performance and robustness of this device to optimize your production processes

Präzise Messung: Der Druckmesser ist für einen Messbereich von 0 bis 2 BAR optimiert und gewährleistet genaue Druckmessungen

Compact size: With a practical design

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PP9583 Insulated gate bipolar transistor IGBT Fuji 2DI30Z-120 30A HMS die ideal für industrielle AnwendungenDer PP9583 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) von Fuji, Modell 2DI30Z 120, bietet eine zuverlssige Lsung fr verschiedene industrielle Anwendungen. Dieses benutzte Modul stammt aus der Zerlegung eines Motorreglers und war bis zur Demontage in Betrieb. Mit einer Stromstrke von 30A und einer Spannungsfestigkeit von 1200V ist dieses IGBT ideal fr anspruchsvolle Umgebungen, in denen Leistung und Stabilitt gefragt sind. Hochwertige Verarbeitung: Das